IC: пам'ять DRAM; 2ГбDRAM; 256Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78

Немає в наявності
Код товару: IS43TR82560DL-125KBLI-TR
466,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: IS43TR82560DL-125KBLI-TR
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TWBGA78
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,35В DC
Пам'ять: 2Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx8бит
Тактова частота: 1,066ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,75нс
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 10мм; Довж.заг: 307мм
Ключ: шестигранний; кулевидна; HEX 10мм; Довж.заг: 307мм

722,88 грн

Вид ключа:
кулевидна
Загальна довжина:
307мм
Матеріал:
ProTanium®; сталь
Різновид рукоятки:
T
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

6,34 грн

Alias:
KGM15AR71H101KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: стабілізатор напруги; 800мВ÷4,5В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 800мВ÷4,5В; 500мА; SMD; -40÷105°C; Ch: 1

27,69 грн

Вихідна напруга:
0,8...4,5В
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
2,5...5,5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 16Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

6,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,85 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 6,8мкГн; 510мА; R: 0,288Ом; ±30%; LQH

5,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±30%
Індуктивність:
6,8мкГн
Корпус - дюйм:
1210
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD