IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 128Мx32бит; 1,8В; 533МГц; 18нс; FBGA134

Немає в наявності
Код товару: AS4C128M32MD2A-18BIN
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C128M32MD2A-18BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR2; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA134
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Мx32бит
Тактова частота: 533МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 18нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0603

1,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: metal film; 110Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм
Резистор: metal film; 110Ом; THT; 2Вт; ±5%; Ø3,5x9мм; осьові; L: 9мм

3,09 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; E-422; steel; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.8mm; E-422; steel; 3N; push-in; 20mΩ

391,54 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
висока центральна точка; немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,3пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В
Резистор: thin film; 3кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; RN73H; 50В

1,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: metal film; 50,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 50,5Ом; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

38,01 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 0,2@max10ВА; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; 0,2@max10ВА; 50÷60Гц

1640,90 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
500А
Діаметр внутрішній:
22,5мм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD