IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D4-83BINTR
2832,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C256M16D4-83BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 1,2ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 14,16нс
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; макс.277ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; макс.277ВAC; THT

163,46 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
50000 цикли
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. напруга котушки:
18В DC
Роз’єм: M12; PIN: 2; гніздовий; промислова; 63В; прямий; IP67; паяння
Роз’єм: M12; PIN: 2; гніздовий; промислова; 63В; прямий; IP67; паяння

472,63 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 60мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 1,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 60мВт; ±0,01%

10,77 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 102Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 102Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 12ВDC; SIP7; THT

297,77 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
88%
Недоступний
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 47,5кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; M12; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,6мм; 10÷30ВDC; M12; IP67

3753,81 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,6мм
Додаткові функції:
IO-Link (COM3)
Загальна довжина:
48мм
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD