IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D4-75BINTR
2832,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C256M16D4-75BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 1333МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 14,25нс
Датчик: рівня рідини; -40÷150°C; OUT: NO или NC; IP64; LS-1950E
Датчик: рівня рідини; -40÷150°C; OUT: NO или NC; IP64; LS-1950E

6445,78 грн

Виводи:
проводи
Довжина відводів:
1м
Клас герметичності:
IP64
Конфігурація виходу:
NO или NC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 4,32кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 220мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 220мкФ; 25ВDC; ±20%

56,39 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
16мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 120мкФ; 550ВDC
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 120мкФ; 550ВDC

574,63 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
35мм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; PIN: 3; прямий; на панель
Роз’єм: провід-провід; вилка; штекерний; PIN: 3; прямий; на панель

105,17 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
12пФ
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD