IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D3C-10BINTR
2564,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C256M16D3C-10BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 681Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Недоступний
Датчик: газу; горючі гази; Підключення: 1/2" 14NPT; 300мА
Датчик: газу; горючі гази; Підключення: 1/2" 14NPT; 300мА

14123,18 грн

Газ викривання:
горючі гази
Підключення:
1/2" 14NPT
Робочий струм:
0,3А
Тип датчика:
газу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22нФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

28,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; 2A/24ВDC
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 6А; 6A/250ВAC; 2A/24ВDC

759,00 грн

Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Зовнішні розміри:
14x80x94мм
Клас герметичності:
IP20
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Зшивки; Шир: 5,85мм; L: 35мм; сталь; 4000шт; TYPE 90
Зшивки; Шир: 5,85мм; L: 35мм; сталь; 4000шт; TYPE 90

633,55 грн

Довжина:
35мм
Кількість в наборі/упаковці:
4000шт.
Матеріал:
сталь
Серія виробника:
TYPE 90
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 332Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 332Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD