IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 1,5В; 933МГц; 13,91нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C256M16D3C-10BINTR
2564,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C256M16D3C-10BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Блок живлення: імпульсний; LED; 240Вт; 90÷171ВDC; 0,7÷2,1А; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 240Вт; 90÷171ВDC; 0,7÷2,1А; IP67

2176,26 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
90...171В DC
Вихідний струм:
0,7...2,1А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0805

12,67 грн

Alias:
C0805C475K9PAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Модуль: RF; рація FM; FSK; UART; -117дБм; 2,4÷3,6ВDC; 869МГц; 20дБм
Модуль: RF; рація FM; FSK; UART; -117дБм; 2,4÷3,6ВDC; 869МГц; 20дБм

740,62 грн

Вид модуля:
рація FM
Вид модуляції:
FSK
Інтерфейс:
UART
Напруга живлення:
2,4...3,6В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,2пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP80; I2C,IrDA,SPI,USART
IC: мікроконтролер MSP430; 16МГц; LQFP80; I2C,IrDA,SPI,USART

201,47 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
I2C; IrDA; SPI; USART
Корпус:
LQFP80
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
56пФ
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

798,28 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус:
TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

579,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD