IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 13,32нс; TWBGA96; -40÷95°C

Немає в наявності
Код товару: IS43QR16256B-083RBLI
1023,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 198
Крок додавання: 198
Код товару: IS43QR16256B-083RBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA96
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,2В DC
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,32нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,78Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,78Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 5; SMT; 3A; 250V

60,19 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø12,5x25мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 3300мкФ; 25ВDC; Ø12,5x25мм

62,72 грн

Висота:
25мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 4x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 4x20AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

16103,04 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з мідного дроту
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2095
Недоступний
Резистор: thin film; 0805; 4,64кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 0805; 4,64кОм; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
4,64кОм
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD