IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 256Мx16бит; 2,133ГГц; -30÷85°C; 1,1В

Немає в наявності
Код товару: MT53E256M16D1DS-046 WT:B
914,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1360
Крок додавання: 1360
Код товару: MT53E256M16D1DS-046 WT:B
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DRAM; LPDDR4; SDRAM
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,1В
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча температура: -30...85°C
Структура пам'яті: 256Мx16бит
Тактова частота: 2,133ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 74; THT; straight

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50,5x69,7x4,55мм
Дисплей: TFT; 2,8"; 240x320; Підсв: LED; Вим: 50,5x69,7x4,55мм

871,14 грн

Cенсорна панель:
немає
Вид дисплея:
матриця IPS
Вид контролера:
ILI9341V
Властивості дисплеїв:
широкий кут огляду
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256x18бит; 3÷3,6В; 150нс; TQFP100

0,00 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFP48; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3
IC: мікроконтролер ARM; 25МГц; QFP48; 8кБRAM,64кБFLASH; ШИМ: 3

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Інтерфейс:
I2C; I2S; SPI x2; USART; USB
Кількість входів/виходів:
35
Кількість каналів PWM:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; ERJP14F

3,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD