IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1,2ГГц; 14,16нс; FBGA78

Немає в наявності
Код товару: AS4C512M8D4-83BCNTR
2641,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C512M8D4-83BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 1,2ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 14,16нс
Недоступний
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT666
Транзистор: PNP x2; біполярний; BRT; 50В; 0,1А; 300мВт; SOT666

24,08 грн

Вид транзистора:
BRT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT666
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 600А; анод на болті; E16; M20x1,5; 1,33В
Діод: випрямний; 1,6кВ; 600А; анод на болті; E16; M20x1,5; 1,33В

12722,39 грн

Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
E16
Монтаж:
гвинтовий
Монтажний гвинт:
M20x1,5
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HV; 2кВ
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; HV; 2кВ

1,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 16А; 500В; Han Kit; PIN: 16
Роз’єм: HDC; штекерний + гніздовий; 16А; 500В; Han Kit; PIN: 16

3929,30 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний + гніздовий
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Кількість пін:
16
Недоступний
Суперконденсатор; THT; 3Ф; 3ВDC; Ø8x20мм; Растр: 3,5мм; H: 20мм
Суперконденсатор; THT; 3Ф; 3ВDC; Ø8x20мм; Растр: 3,5мм; H: 20мм

11,85 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
8мм
Ємність:
3Ф
Монтаж:
THT
Недоступний
LED; жовтий; SMD; PLCC2; 380÷755мlm; 112÷280мкд; 1,9÷2,4ВDC; 120°
LED; жовтий; SMD; PLCC2; 380÷755мlm; 112÷280мкд; 1,9÷2,4ВDC; 120°

7,22 грн

Довжина хвилі λd:
580...595нм
Колір діода LED:
жовтий
Корпус:
PLCC2
Корпус - мм:
3528
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

2,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,2пФ
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD