IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C512M8D4-75BCN
2602,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: AS4C512M8D4-75BCN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 1333МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 14,25нс
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; гніздовий; промислова; MICRO; 63В; прямий
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 5; гніздовий; промислова; MICRO; 63В; прямий

12408,15 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
20м
Ізоляційний матеріал проводу:
TPU
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

846,43 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,125А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0805; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 4В; X5R; ±20%; SMD; 0805; 178мм

7,86 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1210

2,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 8,33÷9,21В; 116,3А; двоспрямована; SMB flat
Діод: TVS; 1,5кВт; 8,33÷9,21В; 116,3А; двоспрямована; SMB flat

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
7,5В
Корпус:
SMB flat
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 68Ом; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм

331,35 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
68Ом
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD