IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1,2В; 1333МГц; 14,25нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C512M8D4-75BCNTR
2641,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C512M8D4-75BCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR4; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,2В
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 1333МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 14,25нс
Резистор: thick film; 5,6Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,6Ом; 0805; 660мВт,667мВт; ±5%; -55÷155°C

1,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1+N

2607,07 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 2кВDC; X7R; ±10%; SMD; 1812

57,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Недоступний
Реактор: film; SMD; 0201; 75нГн; 100мА; R: 5Ом; ±3%; LQP; 180мм
Реактор: film; SMD; 0201; 75нГн; 100мА; R: 5Ом; ±3%; LQP; 180мм

3,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±3%
Індуктивність:
75нГн
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; хром
Наконечник ключа; динамометрична,насадковий,накидний; хром

9464,03 грн

Type of wrench accessories:
наконечник ключа
Вид ключа:
динамометрична; накидний; насадковий
Вид профілю:
AS-Drive
Властивості ключів:
підвищеної міцності
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

11,85 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
10пФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: -5ВDC; SIP7
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: -5ВDC; SIP7

208,44 грн

Вихідна напруга:
-5В DC
Вихідна напруга 2:
5В DC
Вихідний струм:
-200мА
Вхідна напруга:
13,5...16,5В DC
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD