IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C512M8D3LC-12BAN
2832,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 220
Крок додавання: 220
Код товару: AS4C512M8D3LC-12BAN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)
Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPDT; 3A/250ВAC; 3A/30ВDC; ON-(ON)

602,51 грн

Виводи:
до лютування; конектори
Вид матеріалу:
зміцнений скловолокном
Відповідність стандарту:
UL
Електрична стійкість:
50000 цикли
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА

942,73 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Провід; силікон; HookUp Wire; тросик; Cu; 1x18AWG; білий; 15кВ
Провід; силікон; HookUp Wire; тросик; Cu; 1x18AWG; білий; 15кВ

13421,84 грн

Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Відповідність стандарту:
VW-1
Недоступний
Резистор: thick film; 24,9кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,25%; 75В
Резистор: thick film; 24,9кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±0,25%; 75В

1,02 грн

Допуск:
±0,25%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 48,7Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; ERA3ARW
Резистор: thin film; 1,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%; ERA3ARW

16,79 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,05%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 360кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD