IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1,35В; 800МГц; 13,75нс; ролик

Немає в наявності
Код товару: AS4C512M8D3LC-12BANTR
2832,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AS4C512M8D3LC-12BANTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 1,5м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 1,5м; тросик

74,13 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805

4,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
10мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 16,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Ланцюгова напрямна; 2650; Рад.заг: 175мм; L: 1008мм
Ланцюгова напрямна; 2650; Рад.заг: 175мм; L: 1008мм

4094,02 грн

Внутрішня висота:
35мм
Внутрішня ширина:
90мм
Довжина:
1008мм
Зовнішня висота:
50мм
Недоступний
Резистор: thin film; 178кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 178кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

16,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Connector: wire-wire; male,female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10
Connector: wire-wire; male,female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 10

596,17 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
10
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

0,92 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD