IC: пам'ять DRAM; 4ГбDRAM; 512Мx8бит; 1066МГц; 13,75нс; TWBGA78

Немає в наявності
Код товару: IS43TR85120BL-125KBLI
775,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 242
Крок додавання: 242
Код товару: IS43TR85120BL-125KBLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR3L; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA78
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,35В DC
Пам'ять: 4Гб DRAM
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 512Мx8бит
Тактова частота: 1,066ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Насадка: SPLINE-bit; ізольований; XZN M10; 3/8"; 120мм
Насадка: SPLINE-bit; ізольований; XZN M10; 3/8"; 120мм

1177,78 грн

Вид ключа:
ізольований
Відповідність стандарту:
DIN 2325; VDE
Довжина насадки:
120мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
Етикетка; 13мм; 20000мм; срібний; FLEXIMARK®; -40÷90°C; ролик
Етикетка; 13мм; 20000мм; срібний; FLEXIMARK®; -40÷90°C; ролик

9998,75 грн

Вид упаковки:
ролик
Довжина:
20м
Колір:
срібний
Матеріал:
піна
Недоступний
Резистор: metal film; 150кОм; 600мВт; ±1%; -55÷155°C; осьові; 6,3мм
Резистор: metal film; 150кОм; 600мВт; ±1%; -55÷155°C; осьові; 6,3мм

0,00 грн

Виводи:
осьові
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±1%
Опір:
150кОм
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 0402; Z: 120Ом; 450мА
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 120Ом; SMD; 0402; Z: 120Ом; 450мА

0,00 грн

Імпеданс:
120Ом
Імпеданс при 100МГц:
120Ом
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD