IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 166МГц; 5,5нс; FBGA90

Немає в наявності
Код товару: AS4C16M32MSA-6BINTR
554,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1500
Крок додавання: 1500
Код товару: AS4C16M32MSA-6BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA90
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx32бит
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,5нс
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA
Оптрон; THT; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; CTR@If: 200-600%@5mA

32,94 грн

CTR@If:
200-600%@5mA
Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
1
Недоступний
Генератор; 50МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C
Генератор; 50МГц; SMD; 2x1,6x0,8мм; 15пФ; ±30ppm; 3,3ВDC; -40÷105°C

74,76 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
15пФ
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 931Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 5,3нГн; 390мА; R: 0,19Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 5,3нГн; 390мА; R: 0,19Ом; LQW; 180мм

2,89 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
5,3нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 270пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD

2,03 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
270пФ
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 19А; Дл: 1,5м; синій; силікон
Вимірювальний провід: одинарний; 19А; Дл: 1,5м; синій; силікон

757,10 грн

Відповідність стандарту:
CAT II 600V; EN 61010
Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
синій
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD