1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 1,8В; 200МГц; 15нс; FBGA90
Немає в наявності
Код товару: AS4C16M32MD1-5BINTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C16M32MD1-5BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: FBGA90
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,8В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 16Mx32бит
Тактова частота: 200МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 15нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX
Антена: комунікаційна; ISM; лінійна; 50Ом; 863÷928МГц; IPEX

151,42 грн

Type of antenna:
communication
Вид антени:
ISM
Довжина кабелю:
0,15м
Імпеданс:
50Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

3,22 грн

Alias:
KGQ15ACG2D2R2BT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 75А; Iвих: 1А; 1@max1ВА,3@max1,5ВА
Трансформатор: струмовий; Iвх: 75А; Iвих: 1А; 1@max1ВА,3@max1,5ВА

1346,30 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
75А
Діаметр внутрішній:
26мм
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 184sps; 2,7÷5,5В; SOT23-6

0,00 грн

Вид входу:
differential; single-ended
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8нФ; 450В; C0G (NP0); ±5%; SMD

3,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD