IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx8битx4; 167МГц; 6нс; TSOP54 II

Немає в наявності
Код товару: IS42S86400F-6TL
744,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 108
Крок додавання: 108
Код товару: IS42S86400F-6TL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 3...3,6В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 16Mx8битx4
Тактова частота: 167МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 39,2Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,00 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Вентилятор: DC; 60x60x38мм; осьовий; 12ВDC; 127,8м3/г; 73,1дБА
Вентилятор: DC; 60x60x38мм; осьовий; 12ВDC; 127,8м3/г; 73,1дБА

944,00 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 2010; 330мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 2010; 330мВт; ±0,1%; TC; 200В

8,05 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; ERJU03J
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; ERJU03J

0,52 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 63А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230ВAC

6075,15 грн

Вид вимикача:
тип A SEL
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,3А
Застосування - серія/виробник:
MT
Недоступний
Вентилятор: AC; осьовий; 230ВAC; Ø198мм; 400÷280м3/г; 48дБА; IPX2
Вентилятор: AC; осьовий; 230ВAC; Ø198мм; 400÷280м3/г; 48дБА; IPX2

2813,61 грн

Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
ковзання
Додаткові функції:
дросель
Зовнішні розміри:
264x264x100мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD