IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс

Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16D3-12BIN
653,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C32M16D3-12BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA96
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 32Mx16бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 100мкФ; 25ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; біполярний; THT; 100мкФ; 25ВDC; ±20%

14,13 грн

Вид конденсатора:
біполярний
Висота:
16мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Варистор: металооксидний; THT; 550ВAC; 745ВDC; 910В; 10000А; 360Дж
Варистор: металооксидний; THT; 550ВAC; 745ВDC; 910В; 10000А; 360Дж

107,70 грн

Енергія 2 мс:
360Дж
Монтаж:
THT
Напруга варистора:
910В
Растр виводів:
5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 402кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 402кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

1,07 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 2,5м; вилка; 60ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М8 "папа"; прямий; 2,5м; вилка; 60ВDC

840,73 грн

Довжина кабелю:
2,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1172,07 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD