IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54

Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16SA-7TCNTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C32M16SA-7TCNTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: TSOP54
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 32Mx16бит
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

757,10 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9...75В DC
Недоступний
Долото; L: 250мм; SDS-Plus®; підвіска; Шир.након: 20мм; плоські
Долото; L: 250мм; SDS-Plus®; підвіска; Шир.након: 20мм; плоські

436,52 грн

Kind of chisel:
плоські
Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Вид упаковки:
підвіска
Використання інструментів:
бетон; стіни; цегляні матеріали
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 3А; SD
Перетворювач: DC/DC; 15Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 3А; SD

707,05 грн

Вид корпусу:
931A
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 33В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА
Діод: зенера; 1Вт; 33В; SMD; DO213AB,MELF glass; 5мкА

232,51 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
33В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 10В; C0G (NP0); SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 10В; C0G (NP0); SMD; 0402

0,00 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 1мкФ; 220В; 400ВDC; 27,5мм; ±10%; THT

188,17 грн

Виводи:
2pin
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22,6Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 1,8В; 400МГц; 12,5нс; лоток

901,55 грн

Вид пам’яті:
DDR2; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
FBGA84
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 6нс; TSOP54 II

503,04 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 512Кx32битx4; 143МГц; 7нс; TSOP86 II

249,62 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD