1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; TSOP54
Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16SA-7TINTR
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C32M16SA-7TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: TSOP54
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Mx16бит
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
PIN: 20; AMPMODU; вертикальне; SMT; на PCB; Покриття: позолочений
PIN: 20; AMPMODU; вертикальне; SMT; на PCB; Покриття: позолочений

158,39 грн

Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
20
Механічний монтаж:
на PCB
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Кабель; 0,914м; SMA "папа",з обох сторін; прямий; 50Ом
Кабель; 0,914м; SMA "папа",з обох сторін; прямий; 50Ом

1308,92 грн

Вид кабелю:
RG316
Довжина кабелю:
0,914м
Імпеданс:
50Ом
Конструкція кабелю/переходу:
SMA "папа"; з обох сторін
Недоступний
Черевики; Розмір: 39; чорно-червоний; ПВХ; IRON S5 SRC
Черевики; Розмір: 39; чорно-червоний; ПВХ; IRON S5 SRC

1371,64 грн

Відповідність стандарту:
CE; EN ISO 20344:2011; EN ISO 20345:2011
Колір:
чорно-червоний
Матеріал:
ПВХ
Модель:
високий; з металевим носком
Недоступний
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,8кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Діод: TVS; 110,5В; 9,9А; двоспрямована; DO201; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 110,5В; 9,9А; двоспрямована; DO201; 1,5кВт; 1.5KE

50,05 грн

Вид упаковки:
ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
94В
Корпус:
DO201
Недоступний
Резистор: thick film; 11,5кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 11,5кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 390Ом; SMD; 1206; 750мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,5мм
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD