IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 1,5В; 800МГц; 13,75нс; лоток

Немає в наявності
Код товару: AS4C64M8D3-12BIN
811,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AS4C64M8D3-12BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 1,5В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 64Мx8бит
Тактова частота: 800МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,75нс
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,3В

17,11 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
50мА
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJH3QD

7,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Провід; LiYCY; BiT LiYCY; 6x0,5мм2; ПВХ; сірий; 300В
Провід; LiYCY; BiT LiYCY; 6x0,5мм2; ПВХ; сірий; 300В

127,34 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
LiYCY
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 3; THT; 2A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 3; THT; 2A; 150V

107,70 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 180Ом; 1210; 500мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
180Ом
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

33,20 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
177мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В
Резистор: thick film; 51кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±5%; CQ; 25В

0,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD