IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS46LR16320C-6BLA2
840,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IS46LR16320C-6BLA2
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...105°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Quarter Brick; THT; RQB60W12; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 60Вт; Quarter Brick; THT; RQB60W12; OUT: 1

4166,25 грн

Кількість виходів:
1
Корпус:
Quarter Brick
Монтаж:
THT
Напруга ізоляції:
3кВ DC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
PQFN8
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C

103,27 грн

Індуктивність:
45мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
70мОм
Робоча температура:
-25...105°C
Недоступний
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 93Ом; POM
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 93Ом; POM

244,55 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
штекерний
Матеріал ізоляції:
POM
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SO8
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм

113,41 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
30
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 2Mx32бит; 166МГц; TFBGA90; -40÷85°C

302,21 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Корпус:
TFBGA90
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

941,46 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 2Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

599,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD