IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TSOP66 II

Немає в наявності
Код товару: IS43R16320F-6TLI
326,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 108
Крок додавання: 108
Код товару: IS43R16320F-6TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP66 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,5В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 0,33мкФ; 50ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 0,33мкФ; 50ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TPS

15,21 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Корпус:
A
Провід; Li2YCY; UNITRONIC® Li2YCY (TP); 1x2x0,25мм2; ПВХ; сірий
Провід; Li2YCY; UNITRONIC® Li2YCY (TP); 1x2x0,25мм2; ПВХ; сірий

99,47 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,77 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
150пФ; 500ВDC; THT; ±1%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C
150пФ; 500ВDC; THT; ±1%; 5,9мм; Вив: радіальні; -55÷125°C

226,18 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Ємність:
0,15нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

2,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 12AWG; ПВХ; білий; 600В; 305м
Провід; HookUp Wire; тросик; Cu; 12AWG; ПВХ; білий; 600В; 305м

28041,72 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Конденсатор: електролітичний; 68мкФ; 450ВDC; 10,008мм; ±20%; 3000г
Конденсатор: електролітичний; 68мкФ; 450ВDC; 10,008мм; ±20%; 3000г

112,14 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
68мкФ
Растр виводів:
10,008мм
Робоча напруга:
450В DC
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD