IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TWBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS43R16320F-6BL
325,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 190
Крок додавання: 190
Код товару: IS43R16320F-6BL
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: DDR1; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TWBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,5В DC
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Недоступний
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-840; CuBe; 5.3N; push-in; L: 43.2mm
Test probe: RF; 3A; Ø: 1.5mm; HFS-840; CuBe; 5.3N; push-in; L: 43.2mm

13559,95 грн

Type of test probe:
RF
Вигин пружини макс.:
3,7мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
максимальний струм зовнішньої оболонки: 10 А
Діаметр коміра:
5,8мм
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; TFBGA121; DSPIC; 0,8мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; TFBGA121; DSPIC; 0,8мм

533,45 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; motor controller; PMP; PoR; PPS; PWM; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C x2; I2S; IrDA; JTAG; LIN; QEI x2; SMBus; SPI x3; UART x4
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 50мкФ; 2,7кВDC; ±10%; -40÷85°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 50мкФ; 2,7кВDC; ±10%; -40÷85°C

8969,85 грн

Виводи:
гвинти М8
Висота:
135мм
Діаметр:
84,4мм
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 11А; Idm: 70А
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; польовий; 950В; 11А; Idm: 70А

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,2м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; 0,2м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

736,19 грн

Довжина кабелю:
0,2м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
помаранчевий
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 3A; 100V

189,43 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 114В; 4пФ
Діод: TVS+FRD; 300В; 150Вт; AX (Ø4.45x2.16mm); Ubr: 114В; 4пФ

1699,19 грн

Ємність:
4пФ
Зворотна напруга макс.:
300В
Кількість каналів:
1
Корпус:
AX (Ø4.45x2.16mm)
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD