1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик

IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; ролик
Немає в наявності
Код товару: AS4C32M16SB-7TINTR
1210,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS4C32M16SB-7TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: ролик
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Пам'ять: 512Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Mx16битx4
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 5,4нс
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC; SIP

348,45 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
12В DC
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 750мВт; 5x2,5мм; -55÷155°C
Резистор: thick film; 0Ом; SMD; 2010; 750мВт; 5x2,5мм; -55÷155°C

2,11 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2,43кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,43кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 1210; 250мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG11; PG21; латунь; нікель

274,33 грн

Відповідність стандарту:
II 2G Ex eb IIC Gb / II 1D Ex ta IIIC Da
Внутрішня різьба:
PG11
Зовнішня різьба:
PG21
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; ERJUP3J; 150В

1,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 3+N

1004,82 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
3+N
Клас герметичності:
IP20
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD