IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 1Mx16битx4; 133МГц; 7,5нс; TFBGA54

Немає в наявності
Код товару: IS42VM16400M-75BLI
206,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 348
Крок додавання: 348
Код товару: IS42VM16400M-75BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA54
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 64Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16битx4
Тактова частота: 133МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 7,5нс
Недоступний
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.5m; 1.5A
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.5m; 1.5A

1981,76 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP20; IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in; L: 34mm
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-912; CuBe; 1.5N; plug-in; L: 34mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2мм
Довжина:
34мм
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73R; 200В

4,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: TVS; 114В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 114В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C

435,88 грн

Зворотна напруга макс.:
102В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
114В
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; AS; 75В

0,62 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD