IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 1Mx16битx4; 166МГц; 6нс; TFBGA60

Немає в наявності
Код товару: IS43LR16400C-6BLI
256,59 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IS43LR16400C-6BLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: LPDDR; SDRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA60
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,7...1,95В DC
Пам'ять: 64Мб DRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16битx4
Тактова частота: 166МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 6нс
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 2,2кОм; 0603; 100мВт; ±0,5%; RT; -55÷155°C

0,41 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
2,2кОм
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 51Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 18А; 500Вт; ISOPLUS247™

1407,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 2,2мкФ; 400ВDC; 250ВAC

203,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Недоступний
Індикатор: LED; опукла; червоний/зелений; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи
Індикатор: LED; опукла; червоний/зелений; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи

176,13 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина відводів:
0,45м
Резистор: thick film; 27кОм; 0201; 50мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 27кОм; 0201; 50мВт; ±5%; -55÷125°C

0,89 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
0,6x0,3мм
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

946,53 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

808,41 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1163,84 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD