IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; FBGA60

Немає в наявності
Код товару: AS4C4M16SA-7B2CN
248,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 286
Крок додавання: 286
Код товару: AS4C4M16SA-7B2CN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA60
Монтаж: SMD
Пам'ять: 64Мб DRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: 0...70°C
Структура пам'яті: 4Mx16бит
Тактова частота: 143МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 5,4нс
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 1,4кОм; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

2737,59 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
1А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/12ВDC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/12ВDC; SPST-NO; OFF-(ON); Поз: 2

78,56 грн

Виводи:
для друку
Властивості перемикачів:
багатовекторна дія; зі стрижнем
Електрична стійкість:
300000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 20,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові
Резистор: thin film; 20,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,3x6,3мм; осьові

15,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6,3мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A
Кабель: до датчиків; штекерний; M12 ALTW; IP68,IP69K; метал; код A

681,07 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 34; THT; straight

41,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба
Симістор; 800В; 16А; Igt: 50мА; TO220AB; туба

92,50 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO220AB
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD