1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Інтегральні схеми
  4. Пам'ять - інтегральні схеми
  5. Пристрої пам'яті DRAM - інтеграль. схеми

IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78

IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,35В; 933МГц; 13,91нс; FBGA78
Немає в наявності
Код товару: AS4C1G8D3LA-10BIN
4249,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 220
Крок додавання: 220
Код товару: AS4C1G8D3LA-10BIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: DDR3; SDRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча напруга: 1,35В
Робоча температура: -40...95°C
Структура пам'яті: 1Гx8бит
Тактова частота: 933МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Час доступу: 13,91нс
Недоступний
Резистор: thick film; 845кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В
Резистор: thick film; 845кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJ2RKF; 50В

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Резистор: thin film; 10,1кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 10,1кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 400мВт; ±0,1%; 350В; Ø2,5x6,5мм
Резистор: metal film; 10кОм; THT; 400мВт; ±0,1%; 350В; Ø2,5x6,5мм

25,28 грн

Допуск:
±0,1%
Зовнішні розміри:
Ø2,5x6,5мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; M12 ALTW; прямий
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 3; гніздовий; промислова; M12 ALTW; прямий

261,02 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 5000шт.
Резистор: thick film; 3,24кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; 5000шт.

0,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,55x0,85x0,45мм
Недоступний
Резистор: thin film; 176Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 176Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; PG13,5; IP66; К-ть монт.отв: 4; -25÷70°C
Кінцевий датчик; NO + NC; PG13,5; IP66; К-ть монт.отв: 4; -25÷70°C

2890,27 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
4
Клас герметичності:
IP66
Конфігурація виходу:
NO + NC
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 16МбDRAM; 1Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; 0÷70°C

294,60 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP50 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 8Mx16битx4; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

1092,25 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 16Mx32бит; 3÷3,6В; 133МГц; 5,4нс

940,83 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP86 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; лоток

912,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD