IC: пам'ять DRAM; 8ГбDRAM; 1Гx8бит; 1,6ГГц; FBGA78; 0÷95°C

Немає в наявності
Код товару: MT40A1G8SA-062E:R
3264,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1260
Крок додавання: 1260
Код товару: MT40A1G8SA-062E:R
Виробник: MICRON TECHNOLOGY
Вид пам’яті: DDR4; DRAM; SDRAM
Корпус: FBGA78
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,14...1,26В
Пам'ять: 8Гб DRAM
Робоча температура: 0...95°C
Структура пам'яті: 1Гx8бит
Тактова частота: 1,6ГГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять DRAM
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 220мкФ; 400ВDC; 40x40x25мм

0,00 грн

Висота:
40мм
Діаметр:
25мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 2,05кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

14,51 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 3,3нФ; 200ВAC; 400ВDC; 5мм; ±10%; MKT

7,22 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Довжина відводів:
6мм
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: інтерфейс USB; USB,USB 2.0; рація; QFN24; лоток; Uробоча: 3,3В
IC: інтерфейс USB; USB,USB 2.0; рація; QFN24; лоток; Uробоча: 3,3В

73,49 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
USB; USB 2.0
Кількість приймачів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 121кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 121кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,99 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 16Mx16 бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; лоток

886,98 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 64Мx8бит; 3,3В; 133МГц; TSOP54 II

1157,50 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54 II

485,30 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

440,95 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C
IC: пам'ять DRAM; 256МбDRAM; 32Mx8бит; 3,3В; 143МГц; 5,4нс; 0÷70°C

510,01 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 64МбDRAM; 4Mx16бит; 3,3В; 166МГц; 5,4нс; -40÷85°C

456,79 грн

Вид пам’яті:
SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP54 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II
IC: пам'ять DRAM; 512МбDRAM; 32Mx16бит; 2,5В; 200МГц; TSOP66 II

670,30 грн

Вид пам’яті:
DDR1; SDRAM
Вид упаковки:
лоток
Корпус:
TSOP66 II
Монтаж:
SMD