IC: пам'ять EEPROM; 16кБEEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; DIP8; туба

Немає в наявності
Код товару: 24AA16/P
24,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 900
Крок додавання: 60
Код товару: 24AA16/P
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: EEPROM
Вид упаковки: туба
Інтерфейс: 2-wire; I2C
Корпус: DIP8
Монтаж: THT
Пам'ять: 16кб EEPROM
Робоча температура: 0...70°C
Стандартне пакування виробника: 60шт.
Структура пам'яті: 2Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 900нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 10В; X5R; ±10%; SMD; 0201; 330мм

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: power metal; 12мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±5%
Резистор: power metal; 12мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±5%

8,30 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 190В; 730мА; односпрямована; TransZorb®; TGL41
Діод: TVS; 400Вт; 190В; 730мА; односпрямована; TransZorb®; TGL41

13,87 грн

Зворотна напруга макс.:
171В
Корпус:
DO213AB; GL41; MELF plastic
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
190В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1210

11,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 38,5мГн; 600мА; R: 1,2Ом; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 38,5мГн; 600мА; R: 1,2Ом; 250ВAC; -25÷120°C

80,46 грн

Індуктивність:
38,5мГн
Монтаж:
THT
Опір:
1,2Ом
Робоча напруга:
250В AC
IC: пам'ять EEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; SPI; 32Кx8бит; TSSOP8; послідовний

24,33 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
TSSOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 512x8бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 512x8бит; SOP8; послідовний

13,87 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 1Кx8бит; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 1Кx8бит; послідовний

14,57 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; MSOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 2Кx8бит; MSOP8; послідовний

13,94 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
2-wire; I2C
Корпус:
MSOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 2Кx8бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 2Кx8бит; SOP8; послідовний

13,62 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 4Кx8бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 4Кx8бит; SOP8; послідовний

18,31 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 4x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 4x256Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц

27,43 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м