IC: пам'ять EEPROM; 1кБEEPROM; I2C; 128x8бит; SOIC8; послідовний

Немає в наявності
Код товару: 24LCS21AT-I/SN
26,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3300
Крок додавання: 3300
Код товару: 24LCS21AT-I/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: EEPROM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: I2C
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1кб EEPROM
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 3300шт.
Структура пам'яті: 128x8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 900нс
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; Quad I/O,SPI; 4Mx8бит; 104МГц; WDFN8
IC: пам'ять FLASH; 32МбFLASH; Quad I/O,SPI; 4Mx8бит; 104МГц; WDFN8

140,65 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Quad I/O; SPI
Корпус:
WDFN8
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В
Діод: випрямний; THT; 200В; 5Аx2; TO220FPAB; туба; Ufmax: 0,975В

47,52 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
TO220FPAB
Недоступний
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 172Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB
Резистор: thin film; 232кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8PPB

49,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 2,5МГц; Ch: 1; SO8; 10мкВ; туба

178,66 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail; zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
0,3нА
Недоступний
Симістор; 800В; 25А; Igt: 35мА; TO220AB; туба
Симістор; 800В; 25А; Igt: 35мА; TO220AB; туба

233,15 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 4,5÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 4,5÷5,5В; 400кГц

36,56 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; туба
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; туба

37,57 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; Microwire; 128x16бит; 4,5÷5,5В
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; Microwire; 128x16бит; 4,5÷5,5В

18,37 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; Microwire; 256x16бит; 4,5÷5,5В
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; Microwire; 256x16бит; 4,5÷5,5В

35,04 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; SO8

42,45 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2048x8бит; 1,7÷3,6В; 1МГц
IC: пам'ять EEPROM; 16кбEEPROM; I2C; 2048x8бит; 1,7÷3,6В; 1МГц

29,14 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц

12,04 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
UFDFPN8
Монтаж:
SMD