IC: пам'ять EEPROM; 2-wire,I2C; 4Кx8бит; TSSOP-B8; послідовний

Немає в наявності
Код товару: BR24H32FVT-5ACE2
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 132
Код товару: BR24H32FVT-5ACE2
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид пам’яті: EEPROM
Інтерфейс: 2-wire; I2C
Корпус: TSSOP-B8
Монтаж: SMD
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 4Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять EEPROM
Тип інтерфейсу: послідовний
Час доступу: 450нс
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SON6; 74LVC; 10мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 1; CMOS; SMD; SON6; 74LVC; 10мкА

6,34 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Корпус:
SON6
Недоступний
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний

2672,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
245нКл
Корпус:
SOT227B
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC

816,65 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 32Кx8бит; SOP8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; I2C; 32Кx8бит; SOP8; послідовний

35,48 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц

55,75 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8
IC: пам'ять EEPROM; 4кбEEPROM; SPI; 512x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8

33,58 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; 3МГц
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; Microwire; 128x8/64x16бит; 3МГц

24,71 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
Microwire
Кількість циклів макс.:
1м
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 256кбEEPROM; I2C; 32Кx8бит; 2,5÷5,5В; SO8

24,08 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; UNI/O; 256x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц

24,27 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
EUI-48
Інтерфейс:
UNI/O
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 131Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 131Кx8бит; 1,7÷5,5В; 400кГц

19,01 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
EUI-48
Інтерфейс:
I2C