IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; SPI; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

Немає в наявності
Код товару: FM25VN10-G
797,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 485
Крок додавання: 485
Код товару: FM25VN10-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Інтерфейс: SPI
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб FRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тактова частота: 40МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4,8Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4,8Н

154,59 грн

Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Робоча температура:
-25...80°C
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 1700÷3300мм; IP50; Дл: 5м
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 1700÷3300мм; IP50; Дл: 5м

25790,07 грн

Дальність:
1700...3300мм
Довжина проводу:
5м
Клас герметичності:
IP50
Радіус загибу:
1мм
Недоступний
Tap: metric; M1,7; right hand thread; 0.35; L: 32mm; finishing
Tap: metric; M1,7; right hand thread; 0.35; L: 32mm; finishing

193,87 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 168,9Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 168,9Вт

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
84нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 82мкГн; 70мА; R: 6,2Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1210; 82мкГн; 70мА; R: 6,2Ом; ±5%; LQH; 180мм

4,56 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
82мкГн
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 22,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 22,6кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,18Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 1,18Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

242,02 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD