IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; I2C; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B256J-SXE
535,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 485
Крок додавання: 485
Код товару: CY15B256J-SXE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Інтерфейс: I2C
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2...3,6В DC
Пам'ять: 256кб FRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тактова частота: 3,4МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Трансформатор: мережевий; 800ВА; 219ВAC,230ВAC,241ВAC; 230В; IP00
Трансформатор: мережевий; 800ВА; 219ВAC,230ВAC,241ВAC; 230В; IP00

7837,06 грн

Виводи:
затискна планка
Вторинна напруга 1:
230В
Зовнішні розміри:
150x143x128мм
Клас герметичності:
IP00
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32Ом; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
4,32Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 143кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В
Резистор: thick film; 124кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; PS; 50В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206

2,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0805

3,61 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Недоступний
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

134,95 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2,7÷5,5ВDC; 20МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2,7÷5,5ВDC; 20МГц; SO8

395,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 1МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 1МГц; DFN8

297,14 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

136,85 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD