IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; I2C; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B256J-SXET
535,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: CY15B256J-SXET
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: I2C
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2...3,6В DC
Пам'ять: 256кб FRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тактова частота: 3,4МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1; 6кА
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 63А; Полюси: 1; 6кА

803,98 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 120пФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,88 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,12нФ
Корпус - дюйм:
0805
Резистор: thick film; 221кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 221кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10A/250ВAC; THT

58,92 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
12,5мм
Зовнішні розміри:
28,5x12,5x10,1мм
Кількість пін:
4
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 560кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

5,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 20В; SMD8
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 20В; SMD8

0,00 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; PS; 150В
Резистор: thick film; 180Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; PS; 150В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

122,91 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; SPI; 2Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 20МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; SPI; 2Кx8бит; 2,7÷3,6ВDC; 20МГц; SO8

164,72 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; SPI; 8Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 20МГц; SO8

131,15 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

242,02 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD