IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B256Q-SXAT
411,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: CY15B256Q-SXAT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2...3,6В DC
Пам'ять: 256кб FRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 32Кx8бит
Тактова частота: 40МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 4,3кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В

0,41 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 200Вт; 113÷370ВDC; OUT: 1
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 200Вт; 113÷370ВDC; OUT: 1

1873,42 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
12,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 6,2кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: вуглецевий; 6,2кОм; THT; 125мВт; ±5%; 200В; Ш0,45x28мм

0,35 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Кабель; кругла; 1x1мм2; проводи,DC 5,5/2,5 вилка; прямий; білий
Кабель; кругла; 1x1мм2; проводи,DC 5,5/2,5 вилка; прямий; білий

206,54 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів
Довжина кабелю:
1,5м
Довжина контакту:
10мм
Зовнішні розміри проводу:
Ø3,95мм
Недоступний
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB
Резистор: thin film; 680Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±0,1%; ERA3VEB

8,24 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 47Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 47Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

242,02 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD