IC: пам'ять FRAM; 2МбFRAM; SPI; 256Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 50МГц; DFN8

Немає в наявності
Код товару: CY15B102QN-50LHXI
527,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 370
Крок додавання: 370
Код товару: CY15B102QN-50LHXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Інтерфейс: SPI
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,8...3,6В DC
Пам'ять: 2Мб FRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 256Кx8бит
Тактова частота: 50МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Недоступний
Резистор: metal film; 24,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 24,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; V; 200В; Ш0,5x29мм

10,14 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x26AWG
Провід; тросик; Cu; 26AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x26AWG

38,01 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 11028; VW-1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; X8G; ±1%; SMD; 0603; 330мм

1,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 270нФ; 630В; 24x13x8мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; WFA; 270нФ; 630В; 24x13x8мм; THT

3,29 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±10%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 15А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 110ВDC; 4PDT; Iконтактів max: 15А

516,98 грн

Електрична стійкість:
150000 цикли
Зовнішні розміри:
27,7x20,7x35,8мм
Кількість пін:
14
Конфігурація контактів:
4PDT
Недоступний
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 6,65кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

11,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,15МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 7,15МОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,07 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

134,95 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD