IC: пам'ять FRAM; 4МбFRAM; SPI; 512Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 40МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B204QN-40SXET
914,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY15B204QN-40SXET
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,8...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб FRAM
Робоча температура: -40...125°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тактова частота: 40МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 6,19кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 6,19кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP24; THT

971,24 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 64кбFRAM; I2C; 8Кx8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

242,02 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD