IC: пам'ять FRAM; 4МбFRAM; SPI; 512Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 50МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B104QN-50SXAT
845,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY15B104QN-50SXAT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,8...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб FRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тактова частота: 50МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 150нФ; 63ВAC; 100ВDC; 10мм; ±10%; MKT
Конденсатор: поліестровий; 150нФ; 63ВAC; 100ВDC; 10мм; ±10%; MKT

8,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид упаковки:
cтрічка
Властивості конденсаторів:
конденсатори із збільшеним ресурсом
Недоступний
Долото; L: 600мм; SDS-MAX; Шир.након: 25мм; плоські
Долото; L: 600мм; SDS-MAX; Шир.након: 25мм; плоські

918,02 грн

Kind of chisel:
плоські
Вид рукоятки:
SDS-MAX
Використання інструментів:
бетон; стіни; цегляні матеріали
Довжина:
0,6м
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Резистор: thin film; 19,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 19,1кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,1В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,1В

25,34 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,1В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 976Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
976Ом
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

134,95 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD