IC: пам'ять FRAM; 4МбFRAM; SPI; 512Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 50МГц; SOIC8

Немає в наявності
Код товару: CY15B104QN-50SXIT
722,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: CY15B104QN-50SXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: FRAM
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Інтерфейс: SPI
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,8...3,6В DC
Пам'ять: 4Мб FRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 512Кx8бит
Тактова частота: 50МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять FRAM
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; straight
Connector: D-Sub; PIN: 25; socket; female; data transfer; straight

54,49 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
25
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

6,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; ERJ1TRQ; 200В
Резистор: thick film; 2Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; ERJ1TRQ; 200В

19,39 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Провід: вимірювальний; chainflex® CF11; гибридний; жовто-зелений
Провід: вимірювальний; chainflex® CF11; гибридний; жовто-зелений

884,44 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно; самонесучий
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Недоступний
Резистор: metal film; THT; 18Ом; 1Вт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; THT; 18Ом; 1Вт; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 127Ом; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,5%

4,50 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,84 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 128кбFRAM; SPI; 16Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; SO8

281,30 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

950,33 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8
IC: пам'ять FRAM; 256кбFRAM; SPI; 32Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 40МГц; DFN8

367,46 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

88,70 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4бFRAM; I2C; 512x8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

210,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 4кбFRAM; I2C; 512x8бит; 4,5÷5,5ВDC; 1МГц; SO8

108,34 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 16кбFRAM; I2C; 2Кx8бит; 2,7÷3,65ВDC; 1МГц; SO8

134,95 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD