IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; TSSOP8

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 23LCV1024-I/ST
151,42 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 23LCV1024-I/ST
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: туба
Властивості інтегральних мікросхем: батарейне резервне живлення
Інтерфейс: SDI; SPI
Корпус: TSSOP8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 2,5...5,5В
Робоча температура: -40...85°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тактова частота: 20МГц
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: послідовний
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 240кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

3,80 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERA6VEB
Резистор: thin film; 15кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERA6VEB

13,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365Ом; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,28 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

726,69 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
85мА
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8

160,29 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

163,46 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; DIP8; туба

122,91 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 1024кбSRAM; 128Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

133,05 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SPI
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C