IC: пам'ять SRAM; 128Кx16бит; 55нс; TSOP44 II; паралельний

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R1LV0216BSB-5SI#B1
486,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 9
Код товару: R1LV0216BSB-5SI#B1
Виробник: RENESAS
Вид пам’яті: SRAM
Корпус: TSOP44 II
Монтаж: SMD
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 55нс
Недоступний
Резистор: thick film; 115Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 115Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; 399мм; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; 399мм; вилка

2346,68 грн

Довжина кабелю:
399мм
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Pliers: half-rounded nose; straight; HEAVY DUTY; 160mm
Pliers: half-rounded nose; straight; HEAVY DUTY; 160mm

178,66 грн

Type of pliers:
півкруглі
Вид щипці:
прямі
Довжина щипців:
160мм
Серія виробника:
HEAVY DUTY
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; RSB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; 8А; 8A/250ВAC; RSB

285,10 грн

Зовнішні розміри:
29x15,7x12,5мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
8А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,01 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діаметр роліка макс.:
180мм
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷100А; True RMS; Клас: 1,5; 40÷72Гц

2198,43 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Властивості вимірювальних приладів:
з затвердженням контролю якості
Властивості шкали:
робоче положення 30°
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1

608,85 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2; UL 1077
Електрична стійкість:
20000 цикли
Кількість полюсів:
1
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD