IC: пам'ять SRAM; 144МбSRAM; 8Mx18бит; FCBGA361; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C4121KV13-633FCXI
19648,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 120
Крок додавання: 120
Код товару: CY7C4121KV13-633FCXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FCBGA361
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 1,3В DC
Пам'ять: 144Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 8Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Частота: 633МГц
Недоступний
Резистор: thin film; 427Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 427Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; з важелем (з роликом)
Мікроперемикач SNAP ACTION; 16A/250ВAC; з важелем (з роликом)

288,90 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Діаметр монтажного отвору:
2,9мм
Довжина важеля:
14,6мм
LED; у корпусі; жовтий; К-ть діодів: 1; 3мм; 20мА; 40°; 5÷15мкд
LED; у корпусі; жовтий; К-ть діодів: 1; 3мм; 20мА; 40°; 5÷15мкд

25,34 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
588нм
Кількість діодів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 374мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 374мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CS; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Діод: випрямний; 8кВ; 2/3,2/4,2А; 7А; 2,5кВт; Ø55x23мм; Ifsm: 120А
Діод: випрямний; 8кВ; 2/3,2/4,2А; 7А; 2,5кВт; Ø55x23мм; Ifsm: 120А

4296,13 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
високовольтний
Зворотна напруга макс.:
8кВ
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Резистор: thick film; 698Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 698Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 54,9кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 54,9кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TSOP32

340,22 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 2,5÷3,6В; 45нс; TSOP44 II

105,17 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 55нс; STSOP32; паралельний; -40÷85°C

1077,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 70нс; DIP28; паралельний

1884,19 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
Пам'ять:
64кб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 256Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

229,35 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3÷3,6В; 10нс; TSOP44 II

489,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD