IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 10нс; TSOP54 II; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY7C1061GE30-10ZSXI
2235,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 216
Крок додавання: 216
Код товару: CY7C1061GE30-10ZSXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: TSOP54 II
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,2...3,6В DC
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Комбінезон; Розмір: XXXL; темно-синій; DENIM; 400г/м2
Комбінезон; Розмір: XXXL; темно-синій; DENIM; 400г/м2

1835,41 грн

Вага:
400г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
темно-синій
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,25Вт; ±0,1%; MCT0603; P
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 0,25Вт; ±0,1%; MCT0603; P

14,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,4пФ
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; R: 185мкОм; ±15%; 10x7x10мм; 80А
Реактор: дротяний; SMD; 150нГн; R: 185мкОм; ±15%; 10x7x10мм; 80А

13,37 грн

Висота:
10мм
Допуск:
±15%
Індуктивність:
0,15мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1+N

464,39 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Кількість полюсів:
1+N
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 34,8кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 34,8кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C