IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 1Mx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV102416DBLL-10TLI
779,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 96
Крок додавання: 96
Код товару: IS61WV102416DBLL-10TLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TSOP48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx16бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thick film; 162Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 162Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 5А; PCB
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 5А; PCB

7451,23 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
CE
Connector: wire-board; socket; male; data; N42G; 600V; PIN: 2; 4.2mm
Connector: wire-board; socket; male; data; N42G; 600V; PIN: 2; 4.2mm

26,29 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

1,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 18кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Конденсатор: танталово-полімерний; 2,2мкФ; 50ВDC; B; 1311; SMD
Конденсатор: танталово-полімерний; 2,2мкФ; 50ВDC; B; 1311; SMD

36,24 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мкФ
Корпус:
B
Корпус - дюйм:
1311
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,86 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
7284L12PAG
7284L12PAG

2242,15 грн

Монтаж:
SMD
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C
IC: SRAM memory; 256kx36bit; 8.5ns; TQFP100; parallel; -40÷85°C

1883,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,7÷5В; 55нс; SOP32; 450mils

414,34 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP32

164,72 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP32
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 12нс; TSOP44 II

393,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

255,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx16бит; 5В; 10нс; TSOP44 II

445,39 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM