IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2Mx8бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: IS61WV20488BLL-10MLI
1429,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 210
Крок додавання: 210
Код товару: IS61WV20488BLL-10MLI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,4...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 7,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷15ВDC; Uвих: 0÷14,5ВDC; 2А; DFN12

419,41 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0...14,5В DC
Вихідний струм:
2А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; SMT; 1.5A

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
4,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 190В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1278,51 грн

Зворотна напруга макс.:
152В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
190В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1812

20,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн