IC: пам'ять SRAM; 16МбSRAM; 2Mx8бит; 2,7÷3,6В; 10нс; TFBGA48

Немає в наявності
Код товару: AS7C316096C-10BINTR
1269,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AS7C316096C-10BINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Вид пам’яті: SRAM; асинхронна
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем: fast
Корпус: TFBGA48
Монтаж: SMD
Пам'ять: 16Мб SRAM
Робоча напруга: 2,7...3,6В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 2Mx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 10нс
Недоступний
Резистор: thin film; 274Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 274Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; SMT; 3A; 250V

284,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Довжина контакту:
8,2мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; SMT; 3A; 100V

355,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 3,15кВ; U2J; ±5%; SMD; 1808
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 3,15кВ; U2J; ±5%; SMD; 1808

4,50 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Вентилятор: DC; 51,2x51,6x15мм; blower; 5ВDC; 5,94м3/г; 39,2дБА
Вентилятор: DC; 51,2x51,6x15мм; blower; 5ВDC; 5,94м3/г; 39,2дБА

0,00 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
blower
Вид підшипника:
ковзання
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28

359,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

408,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 2МбSRAM; 128Кx16бит; 3,3В; 10нс; TSOP44 II

338,95 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
2Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

310,44 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; TQFP100; паралельний; -40÷85°C

3466,81 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
IC: пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM

2551,95 грн

IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 256Кx16бит; 12нс; TSOP44 II; паралельний

2192,10 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C