IC: пам'ять SRAM; 18МбSRAM; 1Mx18бит; 3,3В; 3нс; TFBGA165; -40÷85°C

Немає в наявності
Код товару: IS61NLP102418B-200B3LI
1036,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 144
Крок додавання: 144
Код товару: IS61NLP102418B-200B3LI
Виробник: ISSI
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: лоток; туба
Корпус: TFBGA165
Монтаж: SMD
Пам'ять: 18Мб SRAM
Робоча напруга: 3,3В
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 1Mx18бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 3нс
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

13,94 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,1пФ
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm
Кристал; 16МГц; SMD; 3,2x2,5x0,7мм; 18пФ; Стаб.част: ±30ppm

36,11 грн

Допуск резонаторів:
±30ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-10...70°C
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 274Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 1,8÷3,6ВDC; THT; DIP20; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 48МГц; 1,8÷3,6ВDC; THT; DIP20; PIC18; туба

164,09 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
EUSART; LIN; MSSP (SPI / I2C); RS232; RS485; USB 2.0
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,4пФ
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; 814; 630В; прямий
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 3; штекерний; промислова; 814; 630В; прямий

806,51 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,2236м
Електричний монтаж:
проводи
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

318,04 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 256x36бит; 3÷3,6В; 75нс; TQFP100

193,23 грн

Вид пам’яті:
SRAM; синхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
TQFP100
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28; 600mils

446,66 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 4,5÷5,5В; 45нс; TSOP32 II

282,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
TSOP32 II
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 2Кx8бит; 4,5÷5,5В; 55нс; паралельний; 0÷70°C

606,94 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
4,5...5,5В
Робоча температура:
0...70°C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; SOP28

359,86 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
SOP28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 512Кx8бит; 2,5÷3,6В; 55нс; STSOP32

408,64 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
STSOP32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
4Мб SRAM