IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,7÷2,2В; SOIC8; -40÷125°C

Немає в наявності
Код товару: 23A1024-E/SN
136,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 200
Крок додавання: 100
Код товару: 23A1024-E/SN
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид пам’яті: SRAM
Вид упаковки: туба
Корпус: SOIC8
Монтаж: SMD
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча напруга: 1,7...2,2В
Робоча температура: -40...125°C
Стандартне пакування виробника: 100шт.
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Час доступу: 32нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0805

11,72 грн

Alias:
C0805C564K3RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
IC: driver; контролер затворів; DIP6; 4А; Ch: 1; 6,5÷30ВDC; 5кВ
IC: driver; контролер затворів; DIP6; 4А; Ch: 1; 6,5÷30ВDC; 5кВ

226,81 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
LED diode emulator; гальванічне відокремлення
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 150мА
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 5В; 150мА

42,45 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 450В; X7T; ±10%; SMD; 1206

17,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7T
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20; 5SU
Диференційний вимикач; Iном: 6А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20; 5SU

2533,58 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
1+N
Резистор: thick film; 3,6Ом; 1210; 333мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,6Ом; 1210; 333мВт; ±1%; -55÷155°C

2,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 512кбSRAM; 64Кx8бит; 2,5÷5,5В; 20МГц; SO8; туба

114,67 грн

Вид пам’яті:
NV SRAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
батарейне резервне живлення
Інтерфейс:
SDI; SPI
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; DIP8; туба

78,56 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 16кбSRAM; 2048x8бит; 4,5÷5,5В; 1МГц; SO8; туба

44,98 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; DIP8; -40÷85°C

65,26 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷3,6В; 20МГц; SO8; туба

74,76 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SO8
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; SO8; -40÷85°C

39,91 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба
IC: пам'ять SRAM; 4кбSRAM; 512x8бит; 2,7÷3,6В; 1МГц; TSSOP8; туба

46,88 грн

Вид пам’яті:
EERAM
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
запасна копія EEPROM
Інтерфейс:
I2C