IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 25нс; FBGA48; паралельний

Немає в наявності
Код товару: CY14B101LA-BA25XI
1517,99 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 598
Крок додавання: 598
Код товару: CY14B101LA-BA25XI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид пам’яті: NV SRAM
Вид упаковки: лоток
Корпус: FBGA48
Монтаж: SMD
Напруга живлення: 2,7...3,6В DC
Пам'ять: 1Мб SRAM
Робоча температура: -40...85°C
Структура пам'яті: 128Кx8бит
Тип інтегральної мікросхеми: пам'ять SRAM
Тип інтерфейсу: паралельний
Час доступу: 25нс
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

6,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 500ВDC; 2,79x2,79x2,59мм
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 500ВDC; 2,79x2,79x2,59мм

281,30 грн

Ємність:
5,6пФ
Робоча напруга:
500В DC
Розміри корпусу:
2,79x2,79x2,59мм
Тип конденсатора:
керамічний
Недоступний
Резистор: thin film; 459Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 459Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1mm; GKS-427; CuBe; 1.5N; screw-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1mm; GKS-427; CuBe; 1.5N; screw-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
4,5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.6N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.6N; plug-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
36мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 0,8А; 75нс; SOD123W; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 0,8А; 75нс; SOD123W; Ufmax: 1,7В

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II
IC: пам'ять SRAM; 4МбSRAM; 256Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; TSOP44 II

479,60 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 1,5÷3,6В; 40МГц; LQFP48

368,73 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
LQFP48
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils
IC: пам'ять SRAM; 64кбSRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 15нс; SOJ28; 300mils

180,56 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ28
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28
IC: пам'ять SRAM; 256кбSRAM; 32Кx8бит; 2,7÷5,5В; 55нс; DIP28

724,79 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
LPC
Корпус:
DIP28
Монтаж:
THT
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 5В; 12нс; SOJ44; 400mils

404,21 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
SOJ44
Монтаж:
SMD
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 20нс; паралельний; 0÷70°C

1892,43 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
0...70°C
Тип інтегральної мікросхеми:
пам'ять SRAM
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C
IC: пам'ять SRAM; 512Кx8бит; 45нс; SOP32; паралельний; -40÷85°C

1116,32 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SOP32
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C